Компания Sandisk сообщает о намерении запустить массовое производство первой в мире NAND флэш-памяти по технологии «три бита на ячейку» (x3) в апреле 2008. 16 гигабитовая x3 NAND flash использует стандартную 56-нанометровую технологию SanDisk. Новая flash-архитектура x3 была в разработке в течение прошлых двух лет и использует наиболее передовые запатентованные новшества SanDisk для достижения той же самой производительности и высокой надежности, как в чипах SanDisk «2-бита-на-ячейку».

Технология «три бита на ячейку» была разработана вместе с Toshiba, которая совместно с SanDisk работает над производством передовой флэш-памяти. На Международной Конференции International Solid State Circuits Conference 2008 (ISSCC) SanDisk и Toshiba презентовали технический доклад, описывающий ключевые шаги технологии, которые привели к разработке 16-гигабитовой NAND флэш-памяти по технологии 56 нм со скоростью записи 8 мегабайтов в секунду (МБ/сек).

Доктор Хандкер Н. Кводер (Dr. Khandker N. Quader), старший вице-президент по дизайну и разработке флэш-памяти в SanDisk, заявил: «Мы использовали инновационную запатентованную архитектуру All Bit Line (ABL) с передовыми проприетарными алгоритмами программирования и многоуровневыми схемами управления хранением данных, чтобы преодолеть проблемы разработки чипов флэш-памяти NAND x3, не жертвуя производительностью или надежностью, таким образом, прокладывая путь к широко использованию x3 во многих производственных линиях SanDisk. Мы рассматриваем x3 как главный коммерческий прорыв для флэш-памяти, которая расширит Закон Гордона Мура (который не имеет отношения к дискам колесным б/у) в этом и будущих поколениях NAND flash-памяти».

SanDisk полагает, что внедрение технологии 3 битов-на-ячейку со скоростью записи, сопоставимой с существующей памяти MLC, позволяет SanDisk удовлетворить растущий рыночный спрос на более высокую плотность флэш-памяти для широкого диапазона приложений, но за меньшую стоимость по сравнению с технологией «2 бита на ячейку» MLC. Это обеспечивает уникальное конкурентоспособное преимущество для компании SanDisk.